都不是差着档次那么简单，简直就是天地之分。

嗯，美~

曲久伫是真的惊了，他知道小老六除了做生意厉害，科学上也厉害。但真没想到，会厉害到这种程度。

会议室里还有一位叫施敏的教授，同样诧异到不行。

而且，比曲久伫要诧异的多得多的多。

曲久伫完全听不懂，全凭观察到的情况做出判断。

施敏作为一名真正的，且有成就的“专业人士”，简直可以用难以置信来形容。

施敏还是很有点真才实学的，36年生人，57年毕业于弯大学电机系，60 年获华盛顿大学电机硕士学位，63 年师从半导体器件先驱 John Moll 教授，获斯坦福大学电机博士学位。

随后进入贝尔实验室工作。

67 年，他与南盲肠裔姜大元在午餐时受三明治结构启发，提出在 MOSFET 栅极中插入 “浮栅”的构想，共同发明了浮栅晶体管。

69 年，出版了《半导体元件物理学》，系统的阐述了半导体器件的物理机制与设计方法，在后面很长很长的时间里，都是全球高校的经典教材……

弯省为促进学科发展，国科会搞了个 “海外学者返台讲学计划”，邀请海外工作的弯裔科学家定期回来给各高校授课，施敏就是其中之一。

趁着春节回来过年，多滞留了一段时间，计划等高校寒假结束开学后，给弯大学子们上几堂课……

是不是在介绍中，看到了眼熟的东西？

浮栅晶体管。

没错，曲卓给史蒂夫列的第一批需要收购的技术清单里，就有“浮栅晶体管”。

这项技术被发明出来后，很长一段时间并没有被重视。直到小日子电工实验室的 Yasuo Tarui 等人，在72年提出“电可擦除”的概念。

77 年贝尔实验室的 Frank Wanlass 团队进一步优化了浮栅结构，解决了EPROM 需紫外线擦除的痛点，首次实现完全电擦写的存储单元。

但容量仅有几百位（bit），且擦写速度非常慢，只能算是完成了EEPROM的雏形。

一位等于八分之一个字节，几十个字节的存储量好干嘛呀。

容量小，成本高，速度还慢，擦写虽然摆脱了紫外线，但依旧需要外部编程器，几乎不具备实用价值……被扔到了一边。

贝尔实验室虽然不能算作纯粹的商业实验室，但时间进入七十年代中后期，正在面临预算紧缩的压力。